２．導波路やデバイスのスキャン（パラメータ一括計算）の問題点の修正 （導波路） 深さ方向寸法のスキャン(図2-1）、全体構造解析スキャン（図2-2）の修正 図2-1(a)対称を利用して切り出した導波路構造 図2-1(b)　深さ方向Hの寸法をスキャンしたときのフィールド分布 対称性を利用して図2-1(a)のように半分を解析領域として選択してWをスキャンした場合は問題ないが、図2-2(a)のように全体構造を取り扱い、Wをスキャンすると構造体表示など問題があった点も図2-2(b)のように解決された。 図2-2(a)　全体を解析対象とした導波路構造 図2-2(b) 全体構造を解析対象としてWをスキャンしたときのフィールド分布 （デバイス） BPMやFDTD解析でスキャンに伴いポート位置が変化する場合にも対応が可能となった(図2-3）。 リング構造は初期設定の半径を小さくなる方向のスキャンに限定されていたがこの制約が無くなった(図2-4）。 Flipped shape（反転図形）を用いたデバイスのスキャン不具合を修正した。 図2-3(a) Rが変化するとき、赤丸で記したポート位置が２次元的に変化するFDTDスキャン問題 図2-3(b) V2.3gによりポート位置が２次元的に変化する問題にも柔軟に対応可能 図2-4(a) 半径Rのリング共振器 図2-4(b) V2.3gではRが初期値から増大、減少に対応 （V2.3fは減少方向のみOK) （制限事項） １．スキャンモードでの実行は均一メッシュとなる。 　　BPMFDTDはスキャンモードで実行できない。 　　MQW構造など不均一メッシュが必要な構造解析はスキャンで一括計算せず、１ショット計算で対応。 ２．波長の他１つの構造パラメータのみスキャンすることができる。